深さ方向の変化を非破壊で見る

薄膜表面に発生する深さ方向の変化（方位、格子定数、組成など）を非破壊で解析することができます。

インプレーン回折法：
インプレーン回折測定では、薄膜試料の表面にX線をすれすれに入射します。この時に、入射する角度を精密に制御することでX線が試料内部に侵入する深さを制御することができます。

図の例では、入射角度を深くして行くと最初は最表層のInNだけが観察され、
→次にGaNが出現し、→もっと深くすると基板のGaAsからの信号が現れてきています。